Treach MOSFETs
Trench MOSFET提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，保證了行業(yè)內(nèi)的領先水平。
Planer MOSFETs
高壓MOSFET產(chǎn)品，具有強短路、耐沖擊的特點，還可以提供低導通Ron，集成ESD結構防靜電等產(chǎn)品，以滿足客戶的各種需求。
SJ MOSFETs
SJ MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，Multi-epi技術賦予器件優(yōu)良的魯棒特性，使器件的使用及電路的設計難度大大降低
SGT MOSFETs
SGT MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，使應用領域范圍大大提高。
IGBT
IGBT產(chǎn)品， 基于溝槽場截止型（Trench Field Stop）技術的高效系列，結合了超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部壽命控制等技術，顯著改善了動靜態(tài)性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作溫度更高，轉換效率更大，使用壽命更長。
